Разлика између СРАМ-а и ДРАМ-а
Садржај
- Упоредни графикон
- Дефиниција СРАМ-а
- Рад СРАМ-а за појединачну ћелију:
- Дефиниција ДРАМ-а
- Рад типичних ДРАМ ћелија:
- Закључак
СРАМ и ДРАМ су начини рада РАМ са интегрисаним кругом где СРАМ користи транзисторе и резове у конструкцији док ДРАМ користи кондензаторе и транзисторе. Оне се могу разликовати на више начина, као што је СРАМ релативно брже од ДРАМ-а; стога се СРАМ користи за кеш меморију док се ДРАМ користи за главну меморију.
РАМ (Рандом Аццесс Мемори) је врста меморије којој је потребна стална снага да би задржали податке у њој, једном кад се напајање прекине, подаци ће се изгубити, зато је познат као меморију. Читање и писање у РАМ меморији је лако и брзо и остварује се помоћу електричних сигнала.
- Упоредни графикон
- Дефиниција
- Кључне разлике
- Закључак
Упоредни графикон
| Основе за поређење | СРАМ | ДРАМ |
|---|---|---|
| Брзина | Брже | Спорији |
| Величина | Мала | Велики |
| Трошак | Скупо | Јефтино |
| Се користи у | Кеш меморија | Основна меморија |
| Густина | Мање густ | Високо густ |
| Конструкција | Сложен је и користи транзисторе и засунке. | Једноставно и користи кондензаторе и врло мало транзистора. |
| Један блок меморије захтева | 6 транзистора | Само један транзистор. |
| Наплатите имовину за цурење | Није присутан | Садашњи захтијевају круг освјежавања напајања |
| Потрошња струје | Ниска | Високо |
Дефиниција СРАМ-а
СРАМ (статичка меморија са случајним приступом) је сачињен од ЦМОС технологија и користи шест транзистора. Његова конструкција састоји се од два међусобно повезана претварача за похрану података (бинарних) сличних флип-флопс и додатна два транзистора за контролу приступа. Он је релативно бржи од осталих типова РАМ-а, као што је ДРАМ. Потроши мање енергије. СРАМ може држати податке све док му се напаја.
Рад СРАМ-а за појединачну ћелију:
Да бисте генерисали стабилно логичко стање, четири транзистора (Т1, Т2, Т3, Т4) организовани су умрежено. За генерирање логичког стања 1, чворЦ1 је високо, и Ц2 ниска; у овом стању, Т1 и Т4 су искључени и Т2 и Т3 су на. За логичко стање 0, спој Ц1 је низак и Ц2 је висока; у датом стању Т1 и Т4 су укључени и Т2 и Т3 су искључени. Оба стања су стабилна док се не примени напон истосмерне струје (дц).
СРАМ ред адресе користи се за отварање и затварање прекидача и за контролу Т5 и Т6 транзистора који омогућавају читање и писање. За рад читања сигнал се примењује на ову линију адресе, а затим се укључује Т5 и Т6, а вредност бита се чита из линије Б. За операцију писања сигнал се користи на Б битна линија, а њен додатак се примењује на Б '.
Дефиниција ДРАМ-а
ДРАМ (динамичка меморија са случајним приступом) је такође врста РАМ-а која је конструисана помоћу кондензатора и неколико транзистора. Кондензатор се користи за чување података где вредност бита 1 означава да је кондензатор напуњен, а битна вредност 0 значи да се кондензатор испразни. Кондензатор има тенденцију пражњења, што резултира цурењем набоја.
Динамички израз указује на то да набоји непрекидно цури чак и ако постоји непрекидна испоручена снага због чега троши више енергије. Да би се подаци чували дуже време, потребно их је више пута освежавати, што захтева додатно освежавање. Због накупљања цурења ДРАМ губи податке чак и ако је укључена струја. ДРАМ је доступан у већој количини капацитета и јефтинији је. За један блок меморије потребан је само један транзистор.
Рад типичних ДРАМ ћелија:
У време читања и писања вредности бита из ћелије активира се линија адресе. Транзистор присутан у струјном кругу понаша се као прекидач затворено (дозвољавајући струји да тече) ако се напон примени на адресну линију и отворено (нема струје струје) ако се на адресну линију не примени напон. За рад писања, напонски сигнал се користи на битној линији где високи напон показује 1, а низак напон 0. Сигнал се затим користи на адресну линију која омогућава пренос набоја у кондензатор.
Кад је изабрана линија адресе за извршавање операције читања, транзистор се укључује и наелектрисање похрањено на кондензатору доводи се на битну линију и на појачало.
- СРАМ је ан на чипу меморије чије је време приступа мало док је ДРАМ офф-цхип меморије која има велико време приступа. Стога је СРАМ бржи од ДРАМ-а.
- ДРАМ је доступан у веће капацитет меморије док је СРАМ мањи величина.
- СРАМ је скупо док је ДРАМ јефтино.
- Тхе кеш меморија је апликација СРАМ-а. Супротно томе, ДРАМ се користи у основна меморија.
- ДРАМ је високо густ. Насупрот томе, СРАМ је ређе.
- Изградња СРАМ-а је комплекс због употребе великог броја транзистора. Супротно томе, ДРАМ јесте једноставан дизајнирати и имплементирати.
- У СРАМ-у је потребан један блок меморије шест транзистора док ДРАМ-у треба само један транзистор за један блок меморије.
- ДРАМ је назван као динамичан, јер користи кондензатор који производи Струја цурења захваљујући диелектрику који се користи у кондензатору за одвајање проводљивих плоча није савршен изолатор, па захтева струјно освежавање струје. С друге стране, у СРАМ-у нема проблема са цурењем набоја.
- Потрошња енергије је већа у ДРАМ-у од СРАМ-а. СРАМ делује на принципу промене правца струје преко прекидача, док ДРАМ ради на задржавању набоја.
Закључак
ДРАМ је потомак СРАМ-а. ДРАМ је осмишљен да превазиђе недостатке СРАМ-а; дизајнери су смањили меморијске елементе који се користе у једном биту меморије што је значајно смањило трошкове ДРАМ-а и повећало површину складиштења. Али, ДРАМ је спор и троши више енергије него СРАМ, потребно га је често освежавати у неколико милисекунди да би се задржали трошкови.
